Dünyanın önde gelen dinamik rastgele erişimli bellek (dynamic random access memory: DRAM) üreticilerinden olan Hynix ve Samsung, San Franciscoda düzenlenen International Solid-State Circuits Conference: Uluslar arası Katı Hal Devreler Konferansında (ISSCC 2012), çalışır haldeki DDR4 tip modüllerinin tanıtımını yaptılar. Konferansa katılan diğer bellek üreticileriyse kendi DDR4 prototiplerini tanıtmaktan kaçındılar. Elpida, Micron ve Nanya ise etkinlikte sessiz kalan önemli isimler arasında yer aldı.
Bundan bir sene önce ilk örneğin Samsunga ait olacağı haberini verdiğimiz DDR4 tipi belleklerin hayata geçirilmesine artık çok az kaldı. Yapılan tanıtımda Samsungun DDR4 DRAM modülü 1.2Volt çalışma geriliminde 2133MHz frekansına erişti. 30nm üretim teknolojisinden geçirilen DDR4 modüllerini yine aynı ölçünde üretilen 1.35V ve 1.5V ile çalışan DDR3 DRAM türevleriyle kıyaslayacak olursak saat hızı bağlamında çok yüksek bir hızlanmadan söz edilemez ancak asıl önemli başarım bir notebook bünyesinde barınacak DDR4 modüllerinin, DDR3 türevlerine göre %40 oranında enerji tüketimini azaltması.
ISSCC etkinliğine Samsung ve Hynix, 30nm ve 38nm ölçünlerinde tasarlanan DDR4 prototipleriyle sahne alsa da 2012 yılı sonuna doğru başlanacağı belirtilen yüksek hacimli üretim aşamasına gelindiğinde 20nm proses teknolojisinin devreye gireceği belirtiliyor.
Hynixin DDR4 bellek prototipi 1.2V çalışma voltajıyla 2400MHz sınırına vardı ve 64-bitlik I/O üzerinden 19.2GB/s düzeyinde veri işleyebildi. Gelecek nesil DDR4 DRAM üretimine 2012 yılı sonu veya 2013 yılı ilk diliminde başlanması beklenirken DDR4lerin JEDEC uyumu sonrasında sistemlere bütünüyle adaptasyonunun 2014 yılı ortalarını bulacağı düşünülüyor.